ZnO薄膜相关论文
在后摩尔时代,随着5G技术的成熟,物联网应用的发展进入了快车道,对支撑整个物联网系统的各类传感器也提出了更高的要求。如何实现......
在第三代太阳能电池中,染料敏化太阳能电池的产业化应用受限于自身缺陷,而随着量子点纳米材料的迅速发展,更具竞争优势的量子点敏......
采用磁控溅射方法在p型Si衬底上制备ZnO纳米薄膜并形成异质结。在溅射气压分别为0.1,1.0,5.0 Pa时制备了不同形貌的ZnO纳米薄膜，并......
ZnO是第三代宽禁带半导体的杰出代表,室温下的禁带宽度为3.37 eV,具有很高的激子束缚能60 meV,发光波长范围覆盖了从紫外到红外的......
建立了反应腔室模型,模拟分析了原子层沉积(ALD)过程中前驱体质量分数随其通气时间的变化趋势.采用ALD法制备了ZnO薄膜,采用原子力......
利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备ZnO、TiO2多层复合薄膜.测试手段采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
声表面波（SAW,Surface Acoustic Wave）器件由于具有稳定性好、灵敏度高、多参数敏感等优点,广泛应用于各类传感器。随着物联网的发展......
第一代半导体材料（硅）和第二代半导体材料（砷化镓GaAs,磷化铟InP）由于禁带宽度较窄,已经不能适应半导体技术发展的要求。氧化锌（ZnO）和氮......
通过磁控溅射氧化锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射功率、溅射气压以及基片温度对ZnO薄膜相结构、禁带宽度及......
近年来,短波长LED器件因其在军事民用等领域展现的巨大应用潜力,吸引了研究人员极大的兴趣,已成为当今光电子领域的研究热点。半导......
以IDT/(002)ZnO/SiO2/Si多层结构的声表面波器件为研究对象,通过有限元软件对单对叉指的三维结构进行有限元仿真,得到了不同的ZnO......
采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂SnO2、ZnO薄膜，通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计和伏安特性测试等研究......
用Al-N共掺方法在Si衬底上制备出了p型ZnO薄膜.光致发光谱表明其发光峰位于3.1eV附近,且随着生长温度升高发生红移.结合吸收谱分析......
本文分别以PEN和玻璃为衬底材料，用直流磁控溅射的方法制备ZnO薄膜，作为pin型非晶硅太阳电池的面电极。在不同的溅射功率下，Zn0薄膜表......
采用超声喷雾热分解法，在eagle 2000村底上制备出In掺杂znO薄膜(ZnO：In)。通过EDS测量薄膜中[In]/[Zn]原子比、电学特性和结构特性的......
本文采用Al·N共掺的方法在NO-O气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中NO分压比的变化情况.在靶......
利用直流反应磁控溅射技术得到N-Al共掺p型ZnO薄膜.结果表明:ZnO中Al的存在显著提高了薄膜中N的掺杂量,从而可以实现具有优良p型传......
本文研究了金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术制备的B掺杂ZnO薄膜.通过B掺杂的系列实验,在B2H6流量为10sccm条件下,我们生长出了厚......
ZnO作为一种直接宽禁带(3.37 eV)半导体化合物和在室温下具有很高的激子结合能(60 meV)以及优良的光学、电学和化学性能,ZnO在光、......
ZnO作为一种直接宽带隙(3.37eV)半导体材料，具有很高的室温下的激子束缚能，而且化学性质稳定、无毒，是理想的光电材料，具有较大的应用......
本文采用一种可变电场调制的原子层沉积技术(E-ALD)制备了氧化锌(ZnO)薄膜。在前驱体脉冲时，通过施加不同大小和方向的电压，可以对制......
用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处......
利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度......
采用MOCVD方法,在Al2O3衬底上生长了ZnO薄膜,并利用X射线衍射、拉曼散射谱以及光致发光谱分析了薄膜的结构和发光性质。研究表明,......
利用压电力显微镜(PFM)研究了ZnO薄膜的压电系数d11。ZnO薄膜是根据化学浸蘸技术从锌酸铵溶液沉积得到。利用SEM与XRD进行了结构分......
本论文利用MOCVD法在C-ALO衬底上生长出具有高阻值、透明的ZnO薄膜.对于薄膜质量,我们利用SIEMENS D08 X射线衍射仪、325nmHe-Cd激......
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办......
用Zn(CH)和CO为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用AlO(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测......
本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O为生长源,在外延的GaN/AlO薄膜上生长出高质量的ZnO......
本文利用多种透射电子显微镜方法对分子束外延生长在(0001)蓝宝石衬底上的ZnO薄膜的极性进行了研究,其中我们首次成功的发展了利用......
ZnO因其独特的电学和光学性质而在短波长光电器件方面具有诱人的应用前景.但由于难以实现p型转变而限制了氧化锌基光电器件的开发......
室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的......
ZnO基稀磁半导体是近年来发展起来的新型功能材料,是当前研究的热门课题.本文采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法制备了不同导......
我们采用自行设计的等离子体增强MOCVD系统,利用经特殊设计的反应室,以二乙基锌(DEZn)和O2作为锌源和氧源,分别通过几种途径,获得......
会议
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O流量为1......
制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CHCOOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方......
采用以Ar和O混合气体为溅射气体的反应RF溅射法在Si(100)衬底上制备了Al掺杂多晶ZnO(AZO)薄膜.Al掺杂是通过在金属Zn靶上放置一定......
本论文主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TTFT(ZnO基薄膜晶体管)器件,并通过XRD和透射光谱来对两种不......
将ZnO材料作为活性应用到薄膜晶体管(TFT)中,做成的器件具有十分优异的性能,逐渐受到更多的研究和关注.本文论述了ZnO材料的基本性......
利用新型sol-gel法制备了B2O3掺杂的ZnO薄膜.用SEM表征了B2O3掺杂前后ZnO薄膜的表面形貌,用XRD详细分析了不同B2O3含量掺杂下ZnO薄......
本文以MOCVD方法实现了ZnO薄膜材料的生长.生长村底是(100)面偏向〈111〉A 15°的N型GaAs片,生长反应的锌源和氧源分别为DEZn、H2O......
本文采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积Zn膜，然后在氧气中通过两步热氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外......
本文采用激光分子束外延（L－MBE）的方法在Al2O3(0001) 衬底上生长了沿C轴高度取向一致的ZnO薄膜，并对其光学及结构特性进行了研究。以波......
